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讲准字329号:单层二硫化钼及其异质结的可控生长和物性研究

网络真人百家家乐app:2016-12-20|浏览次数:

题目:单层二硫化钼及其异质结的可控生长和物性研究

主讲:张菁

时间:12月26日9:30

地点:机械学院七楼报告厅

主办:机械工程学院


主讲概况:张菁,新加坡南洋理工大学博士后。研究专长:二维材料的大面积生长和结构表征。围绕厘米量级连续、高质量、单层二硫化钼及其异质结的可控生长以及其在场效应晶体管方面的应用开展了系统的研究工作。擅长于二维材料的大面积生长、结构表征、光电器件的加工及测量。目前在Nature communication, Advanced Materials, ACS nano, JACS, PRL 等国际杂志上发表文章20余篇,已授权专利1项,总引用次数约百余次。

主讲内容:将围绕厘米量级连续的二硫化钼的可控生长和其在场效应晶体管方面的应用系统展开。首先将先容在二氧化硅衬底上实现厘米量级、高质量、单层多晶二硫化钼薄膜的生长方法。在此基础上,为了进一步优化生长。大家又创造性得发展了一种生长大尺寸单晶畴二硫化钼的方法。通过在生长过程中引入少量刻蚀性气体氧气,利用其对生长和刻蚀的协同作用,一方面可以有效降低二硫化钼的形核密度,提高晶体质量;另一方面,可以极大地抑制三氧化钼源表面硫化“中毒”的现象,延长有效生长时间,促进大尺寸二硫化钼单晶的二维生长。此外,通过两步外延生长法可以得到垂直堆垛的MoS2/WS2范德瓦尔斯异质结构,并系统研究了与堆垛类型相关的层间耦合作用对异质结光电特性的影响,为晶圆量级二维薄膜的生长及构筑相关的高性能光电子器件提供了基础。


欢迎广大师生参加!


 

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